[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-11] 電子線ホログラフィーによるInGaZnO₄ /SiO₂界面の電荷分布の直接観察

^○五十嵐信行，西藤哲史，竹田裕，井上尚也，砂村潤，竹内潔，羽根正巳 (ルネサスエレ)

キーワード：酸化物半導体,電子線ホログラフィー,界面