[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [18p-E10-13] Photoinduced Transient Spectroscopy 法を用いたIGZO薄膜トランジスタの電子状態評価

^○田尾博昭，高梨泰幸，森田晋也，日野綾，後藤裕史，林和志，釘宮敏洋 (神戸製鋼所)

キーワード：PITS,IGZO,酸化物半導体