2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-1~20] 合同セッションK ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E10 (E204)

18:00 〜 18:15

[18p-E10-19] バルクマイクロマシニングを用いた中空構造a-InGaZnO TFTの開発

岩松新之輔1,竹知和重2,阿部泰1,矢作徹1,田邉浩2,小林誠也1 (山形県工技セ1,NLTテクノロジー2)

キーワード:a-InGaZnO,MEMS