[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-19] バルクマイクロマシニングを用いた中空構造a-InGaZnO TFTの開発

^○岩松新之輔¹，竹知和重²，阿部泰¹，矢作徹¹，田邉浩²，小林誠也¹ (山形県工技セ¹，NLTテクノロジー²)

キーワード：a-InGaZnO,MEMS