[18p-E10-1~20] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18p-E10-20] Surrounded channel構造酸化物半導体トランジスタの移動度向上効果

^○松田慎平¹，松林大介¹，小林由幸¹，早川昌彦²，島行徳²，斉藤暁²，岡崎健一²，肥塚純一²，山﨑舜平^1,2 (半エネ研¹，AFD Inc²)

キーワード：酸化物半導体,InGaZnO,移動度