[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-6] 金属Gaを出発原料としたGa₂Oを用いたGaN結晶の成長

^○隅智亮¹，重田真実¹，卜渊¹，北本啓¹，今出完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森勇介¹ (阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス²)

キーワード：GaN,Ga2O,Ga