[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-9] ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長

^○稲垣卓志，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大)

キーワード：GaN,半導体