2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月18日(火) 13:00 〜 18:15 E13 (E301)

15:30 〜 15:45

[18p-E13-9] ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長

稲垣卓志,橋本健宏,山根啓輔,岡田成仁,只友一行 (山口大)

キーワード:GaN,半導体