[18p-E2-1~18] 17.1 成長技術

[18p-E2-3] SiC上バッファ層の水素雰囲気下でのアニール -グラフェンリッジの生成とエッチング-

^○高村真琴¹，高木翔平^1,2，前田文彦¹，日比野浩樹¹ (NTT物性基礎研¹，長岡技科大²)

キーワード：グラフェン,SiC,水素