2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 D9 (D315)

14:15 〜 14:30

[19p-D9-2] Si窒化膜表面近傍における不純物金属原子の安定性に関する第一原理解析

○(M2)小林駿介1,柴田大生1,末岡浩治1,小町潤2,嵯峨幸一郎2 (岡山県大院情報系1,ソニー2)

キーワード:β-Si3N4表面,第一原理解析,SiN窒化膜表面