2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 D9 (D315)

15:00 〜 15:15

[19p-D9-5] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

山本章太郎1,小瀬村大亮1,シティノルヒダヤーモハマドユソフ1,木嶋隆浩1,今井亮佑1,臼田宏治2,小椋厚志1 (明治大理工1,産総研GNC2)

キーワード:SiGe,表面増強ラマン分光法,歪