[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E8-7] PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

^○栗島一徳^1,2，生田目俊秀^2,3，清水麻希²，相川慎也²，塚越一仁²，大井暁彦²，知京豊裕²，小椋厚志¹ (明治大¹，物材機構²，JST-CREST³)

キーワード：IGZO