[19p-F11-1~18] 9.4 熱電変換

[19p-F11-7] エピタキシャルGeナノドットを有するSi熱電薄膜の電気特性評価

^○（D）山阪司祐人¹，中村芳明^1,2，上田智広¹，竹内正太郎¹，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，さきがけ-JST²)

キーワード：nanodot,epitaxial,Si、Ge