[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

△ [19p-F9-11] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(2) -照射欠陥形成におけるドーズ量、サイズ依存性-

^○奥山亮輔，門野武，岩永卓朗，古賀祥泰，奥田秀彦，栗田一成 (ＳＵＭＣＯ)

キーワード：クラスターイオン,シリコン