[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥

[19p-F9-14] 電子線照射で生成する欠陥の回復温度に対する不純物の影響

^○清井明¹，田中政幸¹，川上剛¹，鶴田明三¹，谷村純二¹，湊忠玄²，多留谷政良²，高野和豊³ (三菱電機先端技術総合研究所¹，三菱電機パワーデバイス製作所²，メルコセミコンダクタエンジニアリング³)

キーワード：Silicon,defect,photoluminescence