[19p-PG3-1~32] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[19p-PG3-16] Pを導入したNiSi₂/n-Geコンタクトの電気特性と不純物拡散の様子

^○吉原亮¹，元木雅章¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

キーワード：不純物拡散,ニッケルシリサイド