2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20a-E14-1~10] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 11:45 E14 (E302)

09:30 〜 09:45

▲ [20a-E14-3] NOとF2を用いたSiケミカルドライエッチング中のF失活過程の解析(I)

○田嶋聡美1，林俊雄1，石川健治1，関根誠1，佐々木実2，山川晃司3，堀勝1 (名大院工1，豊田工大2，片桐エンジニアリング3)

キーワード：衝突