[20a-E2-1~12] 17.4 デバイス応用

△ [20a-E2-5] グラフェン抵抗変化型メモリの3端子動作に関する研究

^○新留彩^1,2，高橋綱己²，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

キーワード：グラフェン,抵抗変化型メモリ