[20a-PG1-1~17] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-PG1-8] 水銀プローブによるInGaN厚膜の電気的評価

^○中野由崇¹，長谷川文夫¹，SangLiwen²，角谷正友² (中部大¹，物材機構²)

キーワード：InGaN,欠陥準位,光容量過渡分光法