2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[20p-E14-1~4] 13.3 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

2014年3月20日(木) 13:15 〜 14:15 E14 (E302)

13:15 〜 13:30

[20p-E14-1] 不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響

加藤弘一,丸亀孝生,西義史,三谷祐一郎 (東芝研開セ)

キーワード:ショットキー,硫黄,不純物