一般セッション(口頭講演)

[14a-2T-1~12] 17.1 成長技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:15 2T (232)

座長:佐藤信太郎(富士通研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[14a-2T-1] メタンを用いた気相還元による大面積単層酸化グラフェン膜の形態変化評価

〇(M2)BinDzukarnain MuhammadZikri¹、今井響¹、髙見俊志¹、荻野俊郎^1,2 (1.横国大院工、2.CREST/JST)

09:15 〜 09:30

[14a-2T-2] CH₄プラズマ処理による酸化グラフェンからのグラフェン生成

〇小幡誠司¹、佐藤稔¹、赤田圭史¹、斉木幸一朗¹ (1.東大新領域)

09:30 〜 09:45

[14a-2T-3] サファイア上に成長した単層酸化グラフェンのXAFSによる研究

〇圓谷志郎¹、本田充紀¹、滝沢優²、下山巌¹、楢本洋¹、境誠司¹、社本真一¹ (1.原子力機構、2.立命館大理工)

09:45 〜 10:00

[14a-2T-4] 酸化グラフェンの超高温・反応性雰囲気での構造修復過程における反応ガス熱分解領域の効果

〇石田俊¹、篠田佳彦²、小林慶裕¹ (1.大阪大学、2.若狭湾エネ研)

10:00 〜 10:15

▲ [14a-2T-5] Chemical Surface Modification of Graphene Oxide (GO) by Femtosecond Laser Pulse Irradiation

〇(D)Muttaqin Muttaqin¹, Takahiro Nakamura¹, Shunichi Sato¹ (1.IMRAM, Tohoku Univ.)

10:15 〜 10:30

[14a-2T-6] SIC(000\overline{1})上エピタキシャルグラフェンの超高品質化とBernal積層ドメインの評価

〇田島圭一郎¹、須藤亮太¹、吹留博一¹、末光眞希¹、堀場弘司²、組頭広志²、小嗣真人³、大河内拓雄³ (1.東北大通研、2.高エネ研、3.SPring-8 JASRI)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[14a-2T-7] 単結晶SiCカンチレバー上へのグラフェン成長

〇高村真琴¹、須田淳²、日比野浩樹^1,3、山本秀樹¹ (1.NTT物性基礎研、2.京大、3.関西学院大)

11:00 〜 11:15

△ [14a-2T-8] CF₄プラズマ処理を用いた4H-SiC(0001)上グラフェンの特性評価

〇椎名裕亮¹、西村智朗²、中村徹¹ (1.法政大理工、2.法政大イオン)

11:15 〜 11:30

△ [14a-2T-9] SiC(0001)ステップ＆テラス構造におけるグラフェンのレーザー誘起成長過程観察

〇(M2)服部正和¹、池上浩¹、中村大輔¹、岡田龍雄¹、古川一暁²、高村真琴²、日比野浩樹² (1.九大、2.NTT物性基礎研)

11:30 〜 11:45

[14a-2T-10] SiC表面熱分解時のC₂H₄添加によるグラフェン/SiC界面新構造の形成

〇梶原隆司¹、林真吾¹、Visikovskiy Anton¹、飯盛拓嗣²、小森文夫²、田中悟¹ (1.九大院工、2.東大物性研)

11:45 〜 12:00

[14a-2T-11] 金属単結晶基板上における単層カーボンナイトライド成長

〇(D)加藤時穂¹、小幡誠司²、上野啓司³、斉木幸一朗^1,2 (1.東大院理、2.東大院新領域、3.埼玉大院理)

12:00 〜 12:15

[14a-2T-12] 気固相法による3次元トポロジカル絶縁体BiSbTeSe₂高品質大型薄膜の合成とその物性評価

〇(M2)佐竹遥介¹、田邉洋一¹、Tu Ngoc Han¹、谷垣勝己^1,2 (1.東北大理、2.東北大WPI)

一般セッション(口頭講演)

[14a-2U-1~12] 17.1 成長技術

2015年9月14日(月) 09:00 〜 12:15 2U (233)

座長:千足昇平(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[14a-2U-1] Rh触媒を用いたアルコールガスソース法による単層カーボンナノチューブ低温成長

〇小澤顕成¹、桐林星光¹、小川征悟¹、才田隆広¹、成塚重弥¹、丸山隆浩¹ (1.名城大理工)

09:15 〜 09:30

[14a-2U-2] NEXAFSその場測定を用いたSiC表面分解法によるカーボンナノチューブ生成初期過程の解明

〇丸山隆浩¹、成塚重弥¹、雨宮健太² (1.名城大理工、2.KEK PF)

09:30 〜 09:45

[14a-2U-3] 再成長単層カーボンナノチューブのカイラリティ評価

〇本間芳和¹、山田千悟¹、山口元太¹、汪華峰¹、蓬田陽平²、田中丈士²、片浦弘道² (1.東理大理、2.産総研)

09:45 〜 10:00

[14a-2U-4] 分子動力学法による欠陥のない単層カーボンナノチューブ成長シミュレーション

〇吉川亮¹、高木勇海¹、千足昇平¹、丸山茂夫^1,2 (1.東京大工、2.産総研)

10:00 〜 10:15

△ [14a-2U-5] SiC上カーボンナノチューブフォレストのメタルフリーCVD成長におけるCNT端面の調査

〇(M1)平野優¹、稲葉優文¹、鈴木和真¹、費文茜¹、乗松航²、楠美智子²、川原田洋¹ (1.早稲田大学理工学術院、2.名古屋大学エコトピア研)

10:15 〜 10:30

△ [14a-2U-6] ミストCVD法を用いた長尺紡績性MWCNTアレイ成長

〇木下聖也¹、中野貴之¹、井上翼¹、中西太宇人²、石川健太郎² (1.静大院工、2.JNC石油化学)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[14a-2U-7] 異なる成長機構におけるカーボンナノチューブ成長速度のその場測定

〇吉田秀人¹、竹田精治¹ (1.阪大産研)

11:00 〜 11:15

[14a-2U-8] フラーレン薄膜からの透明導電膜の形成

〇岩村真歩¹、石井一樹²、山田貴壽³、葛巻徹^1,2 (1.東海大院工、2.東海大工、3.産総研)

11:15 〜 11:30

[14a-2U-9] 10 keV電子線照射C₆₀薄膜のin situ赤外分光

〇加藤大棟¹、中谷真人¹、渡邊真太¹、尾上順¹ (1.名大院工)

11:30 〜 11:45

[14a-2U-10] 高配向1次元C₆₀ポリマー薄膜の作製および電気特性評価

〇梅田慎太朗¹、中谷真人¹、亀山達矢¹、鳥本司¹、渡邊真太¹、尾上順¹ (1.名大院工)

11:45 〜 12:00

[14a-2U-11] 大気暴露による1次元ピーナッツ型C₆₀ポリマー薄膜へのガス吸蔵

〇中谷真人¹、梅田慎太朗¹、加藤大棟¹、渡邊真太¹、尾上順¹ (1.名大院工)

12:00 〜 12:15

[14a-2U-12] 多層カーボンナノコイルの合成のための触媒と触媒担持材の検討

〇飯田哲生¹、須田善行¹、針谷達¹、滝川浩史¹、植仁志²、清水一樹³、梅田良人⁴ (1.豊技大工、2.東海カーボン、3.湘南合成樹脂製作所、4.東邦ガス)

一般セッション(口頭講演)

[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

2015年9月14日(月) 13:45 〜 17:30 2T (232)

座長:藤井健志(富士電機),前橋兼三(農工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

[14p-2T-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ポリマーフィルム上のグラフェン直接合成とフレキシブルデバイス応用

〇石橋祐輔¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

14:00 〜 14:15

[14p-2T-2] CVD法により合成したh-BN多層膜の合成と評価

〇近藤大雄¹、林賢二郎¹、片岡真紗子¹、岩井大介¹、佐藤信太郎¹ (1.富士通研)

14:15 〜 14:30

▼ [14p-2T-3] Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride (hBN) and its H₂ induced anisotropic etching

〇(P)Subash Sharma¹, Golap Kalita¹, Masaki Tanemura¹ (1.Nagoya Inst of Tech)

14:30 〜 14:45

[14p-2T-4] 単層h-BNにおける多原子空孔の研究

〇浦崎柊¹、影島博之¹ (1.島根大総合理工)

14:45 〜 15:00

△ [14p-2T-5] 銅触媒表面のマイクロパターニングによるグラフェンの位置制御成長

〇(M1)森祐樹¹、生田昂¹、小野尭生¹、金井康¹、大野恭秀^1,2、前橋兼三^1,3、井上恒一¹、松本和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

15:00 〜 15:15

△ [14p-2T-6] 触媒中での炭素拡散を用いた絶縁基板上へのグラフェン直接合成

〇大林克未¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大院工)

15:15 〜 15:30

△ [14p-2T-7] プラズマCVDによる低活性化エネルギーのグラフェン成長プロセス

〇加藤隆一¹、南聡史¹、長谷川雅考^1,2 (1.TASC、2.産総研)

15:30 〜 15:45

△ [14p-2T-8] Ga蒸気触媒CVD法におけるグラフェン初期成長過程の観察

〇顧西子^1,2、田中駿丞^1,2、飯島拓也¹、村上勝久^1,2、藤田淳一^1,2 (1.筑波大数理、2.TIMS)

15:45 〜 16:00

[14p-2T-9] 熱CVDおよびマイクロ波表面波プラズマCVD併用による多数層グラフェンの合成

〇(PC)市村進^1,2、内田秀雄¹、脇田紘一¹、林靖彦²、梅野正義¹ (1.中部大、2.岡山大)

16:00 〜 16:15

[14p-2T-10] 有機物を用いた新しいグラフェンの作製方法その3

〇西村未来¹、加藤幹大¹、趙新為¹ (1.東理大)

休憩（16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

▲ [14p-2T-11] In-situ oxygen evolution from substrate holder for large graphene crystal growth in an
atmospheric pressure CVD.

〇(D)Kamal Sharma¹, Golap Kalita¹, Masaki Tanemura¹ (1.Nagoya Inst of Techn)

16:45 〜 17:00

[14p-2T-12] 基板加熱がグラフェンのCVD成長に与える影響のin-situ観察

〇寺澤知潮^1,2、平良隆信²、斉木幸一朗² (1.筑波大数理、2.東大院新領域)

17:00 〜 17:15

[14p-2T-13] その場SEMによる銅-インジウム合金上グラフェンの成長観察

〇星雄大¹、高橋惇郎¹、加藤大樹¹、本間芳和¹ (1.東理大理)

17:15 〜 17:30

▲ [14p-2T-14] Molecular Assembly Connects Graphene Nanoribbons

〇Patrick Han^1,2, Kazuto Akagi¹, Filippo Federici Canova³, Paul S. Weiss^1,2, Naoki Asao¹, Taro Hitosugi¹ (1.WPI-AIMR, 2.UCLA, 3.Alto Science Inst.)

一般セッション(口頭講演)

[15p-2U-2~11] 17.1 成長技術

2015年9月15日(火) 14:00 〜 16:45 2U (233)

座長:安藤淳(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

△ [15p-2U-2] 単層二硫化タングステンの大面積合成とその合成機構

〇高橋智之¹、加藤俊顕¹、金子俊郎¹ (1.東北大院工)

14:15 〜 14:30

△ [15p-2U-3] グラファイト基板を用いた高品質単層WS₂の成長と光学特性

〇(M2)小林佑¹、佐々木将悟¹、森勝平¹、日比野浩樹²、劉崢³、渡邊賢司⁴、谷口尚⁴、末永和知³、真庭豊¹、宮田耕充^1,5 (1.首都大院理工、2.NTT物性基礎研、3.産総研、4.物材機構、5.JSTさきがけ)

14:30 〜 14:45

[15p-2U-4] 単層NbドープWS₂のCVD成長と評価

〇佐々木将悟¹、小林佑¹、真庭豊¹、宮田耕充^1,2 (1.首都大理工、2.JSTさきがけ)

14:45 〜 15:00

[15p-2U-5] Mo_1-xRe_xS₂/MoS₂ヘテロ構造の合成と評価

〇森勝平¹、真庭豊¹、宮田耕充^1,2 (1.首都大理工、2.JST　さきがけ)

15:00 〜 15:15

△ [15p-2U-6] 電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化による層状MoS₂の形成

〇日比野祐介¹、石原聖也¹、澤本直美¹、大橋匠²、松浦賢太郎²、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明大理工、2.東京工業大学、3.気相成長株式会社)

休憩（15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

△ [15p-2U-7] スパッタリング法と有機原料を用いた硫化アニールによる単層MoS₂薄膜の作製

〇石原聖也¹、日比野祐介¹、澤本直美¹、須田耕平¹、大橋匠²、松浦賢太郎²、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長(株))

15:45 〜 16:00

▼ [15p-2U-8] Growth of highly-oriented MoS₂ thin films over large-area

〇(DC)Sinae Heo^1,2, Ryoma Hayakawa¹, Toyohiro Chikyow¹, Yutaka Wakayama^1,2 (1.National Institute for Materials Science, 2.Kyushu University)

16:00 〜 16:15

△ [15p-2U-9] Al₂O₃(0001)面上MoS₂の配向についての第一原理計算

〇實宝秀幸¹、林賢二郎¹、佐藤信太郎¹、大淵真理¹ (1.富士通研)

16:15 〜 16:30

[15p-2U-10] MoS₂の結晶成長極初期過程の理論検討

〇(M1)岡田克也¹、影島博之¹ (1.島根大総合理工)

16:30 〜 16:45

▼ [15p-2U-11] Vertical Heterostructures of MoS₂ and Graphene Nanoribbons by Two-Step Chemical Vapor Deposition for High-Gain Photodetectors

〇(D)Rozan Mohamad Yunus¹, Hiroko Endo¹, Masaharu Tsuji¹, Hiroki Ago^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.PRESTO-JST)

セッション一覧

17 ナノカーボン » 17.1 成長技術

[14a-2T-1~12] 17.1 成長技術

▲ [14a-2T-5] Chemical Surface Modification of Graphene Oxide (GO) by Femtosecond Laser Pulse Irradiation

△ [14a-2T-8] CF4プラズマ処理を用いた4H-SiC(0001)上グラフェンの特性評価

△ [14a-2T-9] SiC(0001)ステップ＆テラス構造におけるグラフェンのレーザー誘起成長過程観察

[14a-2U-1~12] 17.1 成長技術

△ [14a-2U-5] SiC上カーボンナノチューブフォレストのメタルフリーCVD成長におけるCNT端面の調査

△ [14a-2U-6] ミストCVD法を用いた長尺紡績性MWCNTアレイ成長

[14p-2T-1~14] 17.1 成長技術

▼ [14p-2T-3] Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride (hBN) and its H2 induced anisotropic etching

△ [14p-2T-5] 銅触媒表面のマイクロパターニングによるグラフェンの位置制御成長

△ [14p-2T-6] 触媒中での炭素拡散を用いた絶縁基板上へのグラフェン直接合成

△ [14p-2T-7] プラズマCVDによる低活性化エネルギーのグラフェン成長プロセス

△ [14p-2T-8] Ga蒸気触媒CVD法におけるグラフェン初期成長過程の観察

▲ [14p-2T-11] In-situ oxygen evolution from substrate holder for large graphene crystal growth in anatmospheric pressure CVD.

▲ [14p-2T-14] Molecular Assembly Connects Graphene Nanoribbons

[15p-2U-2~11] 17.1 成長技術

△ [15p-2U-2] 単層二硫化タングステンの大面積合成とその合成機構

△ [15p-2U-3] グラファイト基板を用いた高品質単層WS2の成長と光学特性

△ [15p-2U-6] 電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t-C4H9)2S2を用いた硫化による層状MoS2の形成

△ [15p-2U-7] スパッタリング法と有機原料を用いた硫化アニールによる単層MoS2薄膜の作製

▼ [15p-2U-8] Growth of highly-oriented MoS2 thin films over large-area

△ [15p-2U-9] Al2O3(0001)面上MoS2の配向についての第一原理計算

▼ [15p-2U-11] Vertical Heterostructures of MoS2 and Graphene Nanoribbons by Two-Step Chemical Vapor Deposition for High-Gain Photodetectors

認証

△ [14a-2T-8] CF₄プラズマ処理を用いた4H-SiC(0001)上グラフェンの特性評価

▼ [14p-2T-3] Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride (hBN) and its H₂ induced anisotropic etching

▲ [14p-2T-11] In-situ oxygen evolution from substrate holder for large graphene crystal growth in an
atmospheric pressure CVD.

△ [15p-2U-3] グラファイト基板を用いた高品質単層WS₂の成長と光学特性

△ [15p-2U-6] 電子ビーム蒸着Mo薄膜の(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化による層状MoS₂の形成

△ [15p-2U-7] スパッタリング法と有機原料を用いた硫化アニールによる単層MoS₂薄膜の作製

▼ [15p-2U-8] Growth of highly-oriented MoS₂ thin films over large-area

△ [15p-2U-9] Al₂O₃(0001)面上MoS₂の配向についての第一原理計算

▼ [15p-2U-11] Vertical Heterostructures of MoS₂ and Graphene Nanoribbons by Two-Step Chemical Vapor Deposition for High-Gain Photodetectors