[13p-2W-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [13p-2W-9] Influence of Precursor Gas Source on Defect Properties in Si_1-xGe_x Epitaxial Thin Films

〇Shinichi IKE^1,2,3, Eddy Simoen³, Yosuke Shimura^3,4,5, Andriy Hikavyy³, Wilfried Vandervorst^3,4, Roger Loo³, Wakana Takeuchi¹, Osamu Nakatsuka¹, Shigeaki Zaima^1,6 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Imec, 4.KU Leuven, 5.FWO PMC Fellow, 6.ESI, Nagoya Univ.)

Keywords:Semiconductor,SiGe,DLTS

10 nm技術世代以降に向けたCMOSデバイスのスケーリングに伴い、IV族半導体材料を基準としたデバイスを構築していく上で、SiGe薄膜の成長温度の低減が要求される。高次の前駆体ガスを用いて成長温度を低減できる一方、低温成長において膜中に点欠陥等が容易に導入される可能性がある。本講演では、SiGe膜の結晶性および電気的活性な欠陥に対して、前駆体ガスの種類が与える効果について調査した。