The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

[14p-1C-1~16] 13.4 Si wafer processing /MEMS/Integration technology

Mon. Sep 14, 2015 1:15 PM - 5:30 PM 1C (135)

座長:中村 友二(富士通研),筑根 敦弘(大陽日酸)

4:00 PM - 4:15 PM

[14p-1C-11] Generation of hydrogen radical at atmospheric pressure by thermal filament method and measurement of the density

〇Yuji Okamoto1,2, Fatima Zohra Dahmani3, Daiki Tsutsumi4, Takamasa Ishigaki4, Masatomo Sumiya1 (1.NIMS, 2.Tsukuba Univ., 3.USTO-MB, 4.Hosei Univ.)

Keywords:Hydrogen radical,Thermal filament,Siemens method

シリコン太陽電池の原料である高純度シリコン(Si)は、トリクロロシラン(SiHCl3)を水素ガス(H2)で還元することで製造される(シーメンス法)。しかし実際にはテトラクロロシラン(SiCl4)を生成するSiHCl3の熱分解が優先的に進むため、Si収率が約25%と低いことが課題である。我々はこれまで、熱フィラメント法及びプラズマ法で発生させた水素ラジカルが還元反応を促進し、Si収率の向上を提案・検討してきた。本研究では熱フィラメント法を用い大気圧で水素ラジカルを発生させ、反応装置に導入された水素ラジカル濃度を定量的に測定した。