[14p-4C-1~6] 越境する絶縁膜／半導体界面技術 ～ Si から Non-Si へ　～

[14p-4C-1] High-kゲートスタック開発を振り返って

〇白石 賢二¹ (1.名大院工)

キーワード：高誘電率絶縁膜、フェルミレベルピニング、閾値制御

High-kゲートスタック開発においてキーとなったいくつかの物理的機構とそれを利用したhigh-k LSI実用化で何かが行われたかについて振り返って議論する。