[16a-2E-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [16a-2E-6] Characterization of ion implantation quantum well intermixing method
for application to carrier confinement of VCSEL

〇(M2)Shouhei Moriwaki¹, Minoru Saitou¹, Shougo Kunisada¹, Tomoyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Inst.)

Keywords:semiconductor,intermixing,VCSEL

LSI間・内の光配線には，従来の1/10の低消費電力光源が必須である．面発光レーザ(VCSEL)は有力な光源だが，1/10のしきい値には素子面積を従来の1/10，つまり活性領域径1µmクラスへの微小化が必要である．しかし，VCSELの微小化には，電流とキャリア制御，製作性に課題がある．
本研究では，量子構造混晶化(QWI)を用いた横方向キャリア閉じ込めによる微小面発光レーザを目指している．今回，イオン注入混晶化の特性評価を進めたので報告する．