[16a-2E-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [16a-2E-7] Lasing of Two-Color Surface Emitting Laser by Coupled Cavity Structure with QW

〇(M1)Hiroto Ota¹, Tomohisa Maekawa¹, Xiangmeng Lu¹, Naoto Kumagai¹, Takahiro Kitada¹, Toshiro Isu¹ (1.Tokushima Univ.)

Keywords:semiconductor Laser,Coupled Cavity

結合共振器構造による面型テラヘルツ波発生素子として、InAs量子ドットを利得媒質とした面発光型レーザ構造の二波長の発光特性の研究を進めてきた。本研究では、利得媒質としてInGaAs/GaAs多重量子井戸構造を用いた電流注入型面発光レーザ構造を作製し、二波長での等強度なレーザ発振を実現した。また、共振器層の膜厚分布による発振特性を評価した。