[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16a-2R-4] イオン散乱によるβ-FeSi₂/Siの酸化挙動の評価

〇前田 佳均^1,2、野口 雄也¹、寺井 慶和¹、鳴海 一雅²、境 誠司² (1.九工大院情報工、2.原子力機構)

キーワード：シリサイド半導体、鉄シリサイド、発光

我々は，バンドオフセットの小さなβ/Siナノ混合相の致命的欠点を克服すべく，室温でも電子・正孔閉じ込めが十分期待できるβ/SiO₂ナノ混合相を考案し，Siの選択酸化を利用してβ/Siからβ/SiO₂ナノ混合相が直接作製できることを示した．さらにβ/SiO₂からは室温付近まで発光が観察できることを示した．本研究では，イオン散乱法を用いてβ/Siからβ/SiO₂ナノ混合相に至る酸化挙動について検討した．