〇村上力輝斗¹、黒澤俊介^1,²、Vitezslav Jary³、北浦守⁴、庄子育宏^1,⁵、山ノ井航平⁶、有田廉⁶、横田有為²、Jan Pejchal^2,³、大橋雄二¹、鎌田圭^2,⁵、猿倉信彦⁶、大西彰正⁴、Martin Nikl³、吉川彰^1,^2,⁵ (1.東北大金研, 2.東北大NICHe, 3.チェコ物理研, 4.山形大理, 5.(株)C&A, 6.阪大レーザー研)

11:15 〜 11:30

[12a-A25-9] Eu³⁺をトラップ増感剤とした新規赤色Mn残光蛍光体(Zn_yMg_1-y)GeO₃:Mn²⁺-Eu³⁺の光学特性評価

〇家弓朋広¹、片山裕美子¹、上田純平¹、田部勢津久¹ (1.京都大学)

11:30 〜 11:45

△ [12a-A25-10] LaAlO₃:Cr³⁺ペロブスカイト蛍光体の深赤色長残光特性

〇(P)片山裕美子¹、小林大晃¹、田部勢津久¹ (1.京大院人環)

11:45 〜 12:00

[12a-A25-11] ナノ蛍光体を用いた太陽電池用波長変換膜

〇(M1)坂田陵輔¹、土井直紀¹、石垣雅²、大観光徳^1,³、大倉央⁴ (1.鳥大院工, 2.TiFREC, 3.TEDREC, 4.メルク(株))

12:00 〜 12:15

△ [12a-A25-12] CuInS₂及びAgInS₂/ZnS量子ドットのZnSコーティング回数依存性

〇菱沼賢智¹、倉林智和¹、福田武司¹、鎌田憲彦¹、本多善太郎¹ (1.埼玉大学)

12:15 〜 12:30

[12a-A25-13] シリカガラス薄膜中に分散した色素ナノ粒子の昇華抑制

〇八巻建樹¹、倉林智和¹、福田武司¹、鎌田憲彦¹、本多善太郎¹ (1.埼玉大理工)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A25-1~11] 13.9 光物性・発光デバイス

2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:00 A25 (6A-218)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

[12p-A25-1] Tb₃Ga₅O₁₂:Eu³⁺蛍光体の発光特性

〇澤田健士¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

14:15 〜 14:30

[12p-A25-2] CaTiO₃:Eu³⁺蛍光体の作製と評価

〇(B)折橋拓也¹、新井敬章¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

14:30 〜 14:45

[12p-A25-3] KClへの(Ce³⁺, Sn²⁺)イオン共賦活効果

〇(M1)登坂優希¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

14:45 〜 15:00

[12p-A25-4] ZnSnF₆・6H₂O:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価

〇(M1)星野良介¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

15:00 〜 15:15

[12p-A25-5] ZnO薄膜における光波－分極波長距離結合による超高速輻射緩和

〇一宮正義^1,²、馬越隆之²、佐伯昴²、木下岳³、石原一³、川上将輝⁴、中山正昭⁴、芦田昌明² (1.滋賀県大工, 2.阪大院基礎工, 3.阪府大院工, 4.阪市大院工)

15:15 〜 15:30

[12p-A25-6] 分子線交互供給法によるCdSe量子ドットの作成と光学的評価II

〇川崎泰登¹、米田稔¹、瀬戸悟²、本田亮³、谷山智康⁴ (1.岡山理大院理, 2.石川工業高専, 3.鳴門教育大, 4.東工大応セラ研)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[12p-A25-7] バイオテンプレート極限加工によるGaAs量子ナノディスクLEDの試作

〇肥後昭男¹、木場隆之^2,⁷、トーマスセドリック³、王云鵬⁴、山下一郎^5,⁷、杉山正和⁶、中野義昭⁶、村山明宏^2,⁷、寒川誠ニ^1,^3,⁷ (1.東北大学WPI-AIMR, 2.北大情報科学, 3.東北大流体研, 4.東大先端研, 5.奈良先端大, 6.東大院工, 7.JST-CREST)

16:00 〜 16:15

[12p-A25-8] La₂Ti₂O₇:Prのフォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネッセンス特性

〇京免徹¹、斎藤志道¹、花屋実¹、高島浩² (1.群馬大院理工, 2.産総研)

16:15 〜 16:30

[12p-A25-9] Ca_0.6Sr_0.4TiO₃:Prを用いた薄膜型および粉末型EL素子における低電圧発光現象２

〇池上敬一¹、中川祐希²、三浦登²、伯田幸也¹、高島浩¹ (1.産総研, 2.明大理工)

16:30 〜 16:45

[12p-A25-10] BaTiO₃ナノ粒子を塗布した無機薄膜エレクトロルミネッセンス素子

〇畑山進也¹、板垣悠己¹、手良向晴貴¹、石垣雅²、大観光徳^1,³ (1.鳥大院工, 2.TiFREC, 3.TEDREC)

16:45 〜 17:00

[12p-A25-11] 発光側電極にグラフェンを使用した分散型ELの特性

張栖岩¹、大久保貴雅²、奥村竜二²、市川洋²、〇佐藤利文¹ (1.東京工芸大工メディア, 2.名工大計測)

一般セッション(ポスター講演)

[13p-P18-1~21] 13.9 光物性・発光デバイス

2015年3月13日(金) 16:30 〜 18:30 P18 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:30 〜 18:30

[13p-P18-1] 誘導結合プラズマによるEu添加KSrPO₄蛍光体の還元効果の水素濃度依存性

〇高地満寿雄¹、山上紘平¹、佐々木徹¹、菊池崇志¹、加藤有行¹ (1.長岡技科大工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-2] 電気泳動堆積によるペロブスカイト酸化物を用いた多層膜無機ELの作製

駒形大樹¹、〇加藤有行¹ (1.長岡技科大工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-3] 白色LED応用に向けたCaY₂Si₂S₈:Ce³⁺, Eu²⁺蛍光体の発光特性

〇田邊冬夢¹、加藤有行¹ (1.長岡技科大工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-4] 高圧相SrO:Eu青色蛍光体の焼成プロセス

〇小松啓志¹、中村淳^1,²、大塩茂夫¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大, 2.中部キレスト)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-5] 植物栽培用Mn付活蛍光体の合成

〇藤田佳子¹、國本崇¹ (1.徳文大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-6] Y₄(SiS₄)₃:Tb蛍光体へのGe添加による吸収帯の制御

〇鈴木智大¹、七井靖¹、奥野剛史¹ (1.電通大先進理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-7] 赤色硫化物蛍光体La₂S₃:Ce³⁺の発光特性

〇室崎祐¹、七井靖¹、奥野剛史¹ (1.電通大先進理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-8] 希土類チオシリケート蛍光体(Y_1-xTb_x)₄(SiS₄)₃の時間分解フォトルミネッセンス

〇鈴木洋介¹、七井靖¹、奥野剛史¹ (1.電通大先進理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-9] サイト選択分光法による(La,Ce,Y)₆Si₄S₁₇蛍光体のスペクトル分離

〇(P)七井靖¹、室崎祐¹、奥野剛史¹ (1.電通大先進理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-10] 高強度近赤外応力発光体Sr₃Sn₂O₇: Nd³⁺の開発

〇(M1)大城裕貴^1,²、塗東^1,²、藤尾侑輝²、徐超男^1,^2,³ (1.九大総理工, 2.産総研, 3.九大 WPI-I2CNER)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-11] 局在発光中心型酸化物蛍光体における光音響信号とPLの関係

〇古川恵大¹、深田晴己¹、山口敦史¹ (1.金沢工大O.E.D.S. R&Dセンター)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-12] MOD法を用いたアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

〇久保孝徳¹、菖蒲勇¹、大山渓人¹、野中俊宏¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-13] LaOF:Yb³⁺/Er³⁺アップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

〇大山渓人¹、野中俊宏¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-14] ホットインジェクション法を用いたCu-In-S/ZnS 量子ドットの作製

〇宮城拓未¹、尾川弘祐¹、長久保準基²、永田智啓²、山本伸一¹ (1.龍谷大理工, 2.(株)アルバック)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-15] Cu-In-S/ZnS量子ドットの合成および発光特性評価

〇尾川弘祐¹、宮城拓未¹、長久保準基²、永田智啓²、山本伸一¹ (1.龍谷大理工, 2.(株)アルバック)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-16] Pドープ(NH₄)₂SiF₆微粒子の発光特性評価

〇北澤駿¹、佐藤慶介¹、深田直樹²、平栗健二¹ (1.東京電機大学院工, 2.物材機構)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-17] 引っ張り歪みGOIのCMP薄膜化による発光強度増大

〇橋本秀明¹、徐学俊¹、澤野憲太郎¹、丸泉琢也¹ (1.都市大総研)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-18] Eu³⁺イオンをドープしたZnOナノ粒子の発光特性における表面欠陥の影響

〇安藤俊介¹、石墨淳¹、柳久雄¹ (1.奈良先端大物質)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-19] Mn²⁺ドープコア/シェルCdS/ZnSナノ粒子における発光特性のドープ濃度及び位置依存性

〇柳澤祐介¹、石墨淳¹、柳久雄¹ (1.奈良先端)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-20] Ｏ₂及びNOガスを用いて作製したEu,Ｏ共添加GaNの表面モフォロジーとEu発光特性

〇高津潤一¹、松田将明¹、児島貴徳¹、小泉淳¹、藤原康文¹ (1.大阪大工)

16:30 〜 18:30

[13p-P18-21] InPの2光子吸収係数βの偏光方向依存性シミュレーション

〇李修平¹、坂東弘之¹、大石真樹¹、松末俊夫¹ (1.千葉大院融合)

セッション一覧

13 半導体 » 13.9 光物性・発光デバイス

[11a-A25-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

▲ [11a-A25-1] Synthesis of A3B8X15-type new oxynitride phosphors starting from a single crystal composition

▲ [11a-A25-2] Moisture-induced thermal degradation of red-emitting CaAlSiN3:Eu

▲ [11a-A25-8] Microscopic approach for optimizing the growth conditions of LaAl(Si6-zAlz)(N10-zOz)(z~1):Ce3+ blue phosphor

[11p-A25-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

▲ [11p-A25-3] Growth and Characterization of GaN/Eu-Doped GaN Nanolayer Structures by Low-Temperature Organometallic Vapor Phase Epitaxy

△ [11p-A25-5] Eu添加GaNにおけるEu発光特性の面内圧縮ひずみ依存性

△ [11p-A25-8] ErxYbyY2-x-ySiO5結晶における最大効率Yb3+増感作用

△ [11p-A25-13] シリコンナノ粒子による吸着分子の発光増強

▲ [11p-A25-15] Monitoring Porous Silicon Photo-Dissolution in Hydrofluoric Acid

[12a-A25-1~13] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [12a-A25-3] アルカリ土類硫化物蛍光体の発光特性 ―第一原理計算と配位子場理論による電子状態解析―

△ [12a-A25-4] Eu2+付活蛍光体温度消光特性と母体構造の構造活性相関解析

△ [12a-A25-6] SrAl2O4ファイバの高感度応力発光特性

△ [12a-A25-10] LaAlO3:Cr3+ペロブスカイト蛍光体の深赤色長残光特性

△ [12a-A25-12] CuInS2及びAgInS2/ZnS量子ドットのZnSコーティング回数依存性

[12p-A25-1~11] 13.9 光物性・発光デバイス

[13p-P18-1~21] 13.9 光物性・発光デバイス

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▲ [11a-A25-1] Synthesis of A₃B₈X₁₅-type new oxynitride phosphors starting from a single crystal composition

▲ [11a-A25-2] Moisture-induced thermal degradation of red-emitting CaAlSiN₃:Eu

▲ [11a-A25-8] Microscopic approach for optimizing the growth conditions of LaAl(Si_6-zAl_z)(N_10-zO_z)(z~1):Ce³⁺ blue phosphor

△ [11p-A25-8] Er_xYb_yY_2-x-ySiO₅結晶における最大効率Yb³⁺増感作用

△ [12a-A25-4] Eu²⁺付活蛍光体温度消光特性と母体構造の構造活性相関解析

△ [12a-A25-6] SrAl₂O₄ファイバの高感度応力発光特性

△ [12a-A25-10] LaAlO₃:Cr³⁺ペロブスカイト蛍光体の深赤色長残光特性

△ [12a-A25-12] CuInS₂及びAgInS₂/ZnS量子ドットのZnSコーティング回数依存性