[11a-A21-1~11] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-A21-9] パルスI-V法による4H-SiC MOSFETの界面特性評価

〇磯野 弘典¹、矢野 裕司^{1, 2}、冬木 隆¹ (1.奈良先端大, 2.筑波大)

キーワード：4H-SiC、界面特性、パルスI-V