[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

〇(B)北林 祐哉¹、山田 哲也¹、許 德琛¹、坪井 秀俊¹、斎藤 俊輝¹、齊藤 達也¹、松村 大輔¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早大理工)

キーワード：MOSFET、パワーデバイス、高耐圧