[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-A18-13] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（1） -CMOSイメージセンサのデバイス特性にゲッタリングが与える効果-

〇栗田 一成¹、門野 武¹、李 伸²、朴 在勤² (1.株式会社SUMCO, 2.漢陽大学校)

キーワード：重金属のゲッタリング、炭素クラスターイオン注入、固体撮像素子