[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [12p-A18-14] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（２） -エピタキシャル成長後の水素の熱処理・拡散挙動-

〇奥山 亮輔¹、廣瀬 諒¹、門野 武¹、岩永 卓朗¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ中の水素拡散挙動、炭素クラスターイオン照射