[12p-A18-1~18] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[12p-A18-17] 第一原理計算によるSi単結晶中のゲッタリングサイトの探索

〇白澤 渉¹、末岡 浩治¹、前川 和義²、山口 直² (1.岡山県大院情報系工, 2.ルネサスエレクトロニクス)

キーワード：ゲッタリング、シリコン単結晶、第一原理計算