[13a-P14-1~14] 13.4 Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術

[13a-P14-2] 二段階Pイオン注入によるメタル/n⁺Geコンタクト低抵抗化とGe nMOSFETの寄生抵抗低減

〇小池 正浩¹、上牟田 雄一¹、黒澤 悦男¹、手塚 勉¹ (1.産総研GNC)

キーワード：半導体、ゲルマニウム、コンタクト抵抗