一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇井本 健太郎1、侯 聖文1、李 朝陽1,2 (1.高知工科大、2.ナノテクノロジーセンター)
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09:15 〜 09:30
〇齋藤 真衣1、賈 軍軍1、中村 新一1、ダニエル グロス2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.フラウンホーファ研究所)
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09:30 〜 09:45
〇中澤 弘実1、石井 博1、歳森 悠人1、斎藤 淳1 (1.三菱マテリアル(株))
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09:45 〜 10:00
〇三浦 光平1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大院工)
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10:00 〜 10:15
〇木下 和俊1、西谷 拓樹1、西田 智彦1、新宮原 正三1、稲田 貢1、齊藤 正1 (1.関西大学)
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10:15 〜 10:30
〇トン バインガルディ1、市村 正也1 (1.名工大)
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10:30 〜 10:45
〇(DC)滝口 雄貴1、折坂 葵2、宮島 晋介2 (1.東工大院理工、2.東工大工学院)
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10:45 〜 11:00
〇渡邉 光1、竹井 雄太郎2、滝口 雄貴2、宮島 晋介1 (1.東工大工学院、2.東工大院理工)
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11:00 〜 11:15
〇宮田 俊弘1、山崎 丞路1、渡辺 恭輔1、南 内嗣1 (1.金沢工大)
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11:15 〜 11:30
〇宮田 俊弘1、山崎 丞路1、渡辺 恭輔1、南 内嗣1 (1.金沢工大)
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11:30 〜 11:45
〇小倉 咲夏1 (1.同志社大理工)
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11:45 〜 12:00
〇鹿又 健作1,2、加藤 祐樹1、今井 貴大1、三浦 正範1、有馬 ボシールアハンマド1,2、久保田 繁1,2、廣瀬 文彦1,2 (1.山形大院、2.CREST)
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12:00 〜 12:15
Sathe Ameya1、石田 丈1、〇関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大工)
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