一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
10:15 〜 10:30
〇(M1)女屋 崇1,2、生田目 俊秀2,3、澤田 朋実2,3、栗島 一徳1,2、澤本 直美1、大井 暁彦2、知京 豊裕2、小椋 厚志1 (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA、3.JST-CREST)
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10:30 〜 10:45
〇大久保 智1、松村 大輔1、平岩 篤1、川原田 洋1 (1.早稲田大学理工学術院)
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10:45 〜 11:00
〇平岩 篤1,3、松村 大輔2、大久保 智2、川原田 洋1,2 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.名大未来研)
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11:00 〜 11:15
〇藤村 信幸1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)
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11:15 〜 11:30
〇(M2)功刀 遼太1、中川 宣拓1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
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11:30 〜 11:45
〇(D)Jiayang Fei1、Ryota Kunugi2、Takanobu Watanabe2、Koji Kita1 (1.The Univ. of Tokyo、2.Waseda Univ.)
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