一般セッション(口頭講演)

[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[13a-A35-1] WASSR法による蛍光体の合成

〇戸田健司¹、長谷川拓哉¹、兼子達郎¹、金善旭¹、石垣雅¹、上松和義¹、佐藤峰夫¹、工藤嘉昭²、戸田雅子²、小出順子²、 Usama Bin Humayoun³、 Yoon Dae Ho³ (1.新潟大、2.N-ルミネセンス、3.成均館大学校)

09:15 〜 09:30

[13a-A35-2] 集光炉を用いた蛍光体の溶融合成

〇戸田健司¹、武藤雅¹、長谷川拓哉¹、金善旭¹、石垣雅¹、上松和義¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

09:30 〜 09:45

[13a-A35-3] ZnGa₂O₄ホストの結晶性・酸化度とEu³⁺ドーパントの発光特性

〇赤沢方省¹、篠島弘幸² (1.NTT DIC、2.久留米高専)

09:45 〜 10:00

[13a-A35-4] ハフニウム塩化物系シンチレータの開発とその現状

〇黒澤俊介¹、小玉翔平²、山路晃広²、横田有為¹、大橋雄二²、荒川元孝¹、鎌田圭^2,3、吉川彰^1,2,3 (1.東北大NICHe、2.東北大金研、3.（株)C&A)

10:00 〜 10:15

[13a-A35-5] 放射光とレーザーを使って決定されたGAGG中Ce³⁺イオンの4f電子イオン化エネルギー

〇北浦守¹、東純平²、鎌田圭³、石崎学¹、大西彰正¹、原和彦⁴ (1.山形大理、2.佐賀大シンクロ、3.東北大NICHe、4.静岡大電研)

10:30 〜 10:45

△ [13a-A35-6] 発光の有無から見たCe(Ⅲ)含有錯体の発光メカニズム

〇小泉敦也¹、長谷川拓哉¹、上松和義¹、板谷篤司¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹、坂根弦太² (1.新潟大工、2.岡山理科大理)

10:45 〜 11:00

△ [13a-A35-7] Eu²⁺賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

〇長谷川拓哉¹、長谷川翔太¹、金善旭¹、上松和義¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

11:00 〜 11:15

[13a-A35-8] 結晶シリコン太陽電池のための広帯域アップコンバーター (II)

〇竹田康彦¹、水野真太郎¹、ルイテルホムナト¹、山中健一¹、谷俊彦¹ (1.豊田中研)

11:15 〜 11:30

[13a-A35-9] Er_xYb_yY_2-x-ySiO₅結晶の組成最適化と最大励起増感効果

近藤史哉¹、〇一色秀夫¹ (1.電通大院情報理工)

11:30 〜 11:45

▲ [13a-A35-10] Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF Investigated by Photoconduction

〇Bernard Gelloz¹、 Kazuki Ichimura²、 Eiichi Kondoh²、 Lianhua Jin² (1.Nagoya Univ.、2.Yamanashi Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月13日(火) 13:15 〜 17:15 A35 (303-304)

小南裕子(静岡大)、七井靖(日大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[13p-A35-1] GaN:Eu赤色LEDの発光中心の二量化：高調波成分分析を使ったEu-Eu結合評価

〇石井真史¹、小泉淳²、藤原康文² (1.物材機構、2.阪大工)

13:30 〜 13:45

△ [13p-A35-2] Eu添加GaNにおけるEu発光中心へのエネルギー輸送プロセスの定量的解析

〇(D)稲葉智宏¹、児島貴徳¹、山下元気²、芦田昌明²、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.阪大院基礎工)

13:45 〜 14:00

[13p-A35-3] 二波長励起測定法を用いたEu添加GaNのエネルギー輸送プロセスの評価

〇小亀宏明¹、児島貴徳¹、小泉淳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

14:00 〜 14:15

[13p-A35-4] 多重量子ブロック層を用いたEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大

〇山田智也¹、稲葉智宏¹、児島貴徳¹、小泉淳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

14:15 〜 14:30

[13p-A35-5] Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気特性

〇布川拓未¹、宮田祐輔²、櫻井敬博³、藤村紀文²、太田仁³、藤原康文¹ (1.阪大院工、2.大府大院工、3.神大院理)

14:30 〜 14:45

[13p-A35-6] Er,O共添加GaAsフォトニック結晶点欠陥共振器レーザーの実現に向けて ―数値解析―

〇(M2)小川雅之¹、藤岡夏輝¹、櫻木寛至¹、児島貴徳¹、小泉淳¹、藤原康文¹ (1.阪大院工)

14:45 〜 15:00

△ [13p-A35-7] BeドープInGaAsPバルクにおけるスピン緩和時間のキャリア濃度依存性(10-300 K)

〇山田築¹、大木俊介¹、石川友樹¹、亀崎拓也¹、 Lu Shulong²、 Ji Lian²、竹内淳¹ (1.早大先進理工、2.SINANO-CAS)

15:00 〜 15:15

△ [13p-A35-8] VB法成長によるSi-GaAsバルクのスピン緩和

〇谷川詩馬¹、飯田真之¹、中村芳樹¹、ショウサンウ¹、中山航¹、竹内淳¹ (1.早大先進理工)

15:30 〜 15:45

[13p-A35-9] β-FeSi₂薄膜の低温でのフォトルミネッセンス発光

〇秋山賢輔^1,2、松本佳久¹、舟窪浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大物質理工)

15:45 〜 16:00

[13p-A35-10] リン添加による (NH₄)₂SiF₆蛍光微粒子の耐熱性向上

〇(M2)常盤葵¹、佐藤慶介¹、平栗健二¹ (1.東京電機大工)

16:00 〜 16:15

[13p-A35-11] 異なる基板を用いたGd³⁺添加ペロブスカイト型酸化物薄膜ELデバイスの作製と紫外発光

〇清水雄平¹、植田和茂¹ (1.九工大院工)

16:15 〜 16:30

[13p-A35-12] ナノ粒子を出発材料としたZnS:Cu EL蛍光体

〇上田祥平¹、石垣雅¹、和迩浩一²、音山貴史³、中崎義晃³、大観光徳¹ (1.鳥取大工、2.タツモ(株)、3.(株)ナノキューブ・ジャパン)

16:30 〜 16:45

[13p-A35-13] GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性

〇竹内大智^1,2、山田健太郎¹、牧原克典¹、池田弥央¹、大田晃生¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.学振特別研究員)

16:45 〜 17:00

[13p-A35-14] InGaAs量子ドット-量子井戸結合構造におけるスピン状態の電界依存性

〇明井祐人¹、高山純一¹、武石一紀¹、板橋皓大¹、浦部晶行¹、村山明宏¹ (1.北大院情報科学)

17:00 〜 17:15

[13p-A35-15] 深紫外発光ダイオード用封止樹脂の耐久性とその劣化機構について

〇長澤陽祐¹、平野光¹、青崎耕²、一本松正道¹、天野浩³、赤﨑勇⁴ (1.創光科学株式会社、2.旭硝子株式会社、3.名古屋大学、4.名城大学)

一般セッション(口頭講演)

[14a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月14日(水) 09:00 〜 11:45 A35 (303-304)

児島貴徳(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[14a-A35-1] ZnTiF₆:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価

〇(M2)櫻井翔之¹、星野良介¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

09:15 〜 09:30

[14a-A35-2] Rb₂XF₆:Mn⁴⁺( X = Si, Ge, Ti )赤色蛍光体の作製と評価

〇(M2)櫻井翔之¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

09:30 〜 09:45

[14a-A35-3] M^I₂M^IVF₆:Mn⁴⁺蛍光体の合成と発光特性

〇町田憲一¹、高濱裕子¹、半沢弘昌¹ (1.大阪大院工)

09:45 〜 10:00

[14a-A35-4] 赤色発光Mn⁴⁺賦活酸化物蛍光体の合成

〇長谷川拓哉¹、金善旭¹、上松和義¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

10:15 〜 10:30

△ [14a-A35-5] 赤色光で励起可能なCa₃B₂N₄:Eu²⁺蛍光体の発光特性

〇(M2)山梨遼太¹、長谷川拓哉¹、金善旭¹、上松和義¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹、陳登銘² (1.新潟大、2.国立交通大学)

10:30 〜 10:45

[14a-A35-6] 高圧窒素下での窒化物単結晶蛍光体の作製

〇長谷川拓哉¹、山梨遼太¹、金善旭¹、上松和義¹、戸田健司¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

10:45 〜 11:00

△ [14a-A35-7] Ba₅B₂Al₄Si₃₂N₅₂:Euの合成と結晶構造および発光特性

〇吉村文孝¹、山根久典² (1.三菱化学科技セ、2.東北大多元研)

11:00 〜 11:15

[14a-A35-8] BaSi₇N₁₀:Eu 派生窒化物蛍光体の白色発光(III)

〇武田隆史¹、舟橋司朗¹、解栄軍¹、広崎尚登¹ (1.物材機構)

11:15 〜 11:30

▲ [14a-A35-9] Preparation of CaAlSiN₃:Eu²⁺ Phosphor Ceramics

〇Rong-Jun Xie¹、 Shuxing Li²、 Yujin Cho¹、 Takashi Takeda¹、 Naoto Hirosaki¹ (1.NIMS、2.SICCAS)

11:30 〜 11:45

[14a-A35-10] 単粒子診断法による新黄色蛍光体A_1+xM₃₀X₄₀の開発

〇舟橋司朗¹、広崎尚登¹、武田隆史¹、解栄軍¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[14p-A35-1~12] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月14日(水) 13:15 〜 16:30 A35 (303-304)

深田晴己(金沢工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[14p-A35-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 生体イメージング用Ca₁₀(PO₄)₆(OH)₂ : Mn⁵⁺近赤外ナノ蛍光体の液相合成

〇上原航¹、石垣雅¹、岡本優樹¹、稲垣徹^1,2、本間徹生³、大観光徳¹ (1.鳥大院工、2.宇部興産（株）、3.JASRI)

13:30 〜 13:45

[14p-A35-2] プロトン交換による発光性ナノスクロールの作製

〇戸田健司¹、渡邊美寿貴¹、長谷川拓哉¹、金善旭¹、上松和義¹、佐藤峰夫¹ (1.新潟大)

13:45 〜 14:00

△ [14p-A35-3] TMAS誘導シリカへの包埋によるInP/ZnS量子ドット蛍光体の高耐光性化

〇(M1)渡邉太一¹、和田知歌子¹、磯由樹¹、磯部徹彦¹、佐々木洋和² (1.慶大理工、2.昭栄化学工業)

14:00 〜 14:15

[14p-A35-4] CuInS₂量子ドットへの青色LED照射による演色性評価

〇牧純也¹、福田武司¹、鎌田憲彦¹、本多善太郎¹ (1.埼玉大院理工)

14:15 〜 14:30

△ [14p-A35-5] (Y,Gd)₂O₃:Yb³⁺,Er³⁺アップコンバージョン蛍光ナノシートの作製と評価

〇磯由樹¹、佐藤丞¹、磯部徹彦¹、神隆²、吉岡芳親³ (1.慶大理工、2.理研、3.阪大)

14:45 〜 15:00

[14p-A35-6] ナノコンポジット型蛍光体

〇岩崎剛¹、四ノ宮裕¹、大長久芳¹、中埜彰俊²、澤博²、松石聡³、細野秀雄³ (1.小糸製作所、2.名古屋大学、3.東京工業大学)

15:00 〜 15:15

[14p-A35-7] 希土類添加フツホウ酸ガラスおよびナノ結晶化ガラスの蛍光特性

〇篠崎健二¹、赤井智子¹、本間剛²、小松高行² (1.産総研、2.長岡技科大)

15:15 〜 15:30

[14p-A35-8] Ceをドープしたゾルゲルシリカガラスの発光特性

〇(B)徳光聖茄¹、村上祐今¹、川辺豊¹ (1.千歳科技大)

15:30 〜 15:45

△ [14p-A35-9] BiドープSiO_xN_y薄膜の近赤外発光特性

〇小島拓也¹、森岡嵩文¹、藤井稔¹ (1.神戸大院工)

15:45 〜 16:00

[14p-A35-10] Al₂O₃中のTb³⁺イオンの固溶限界と発光特性

〇(M1C)大西勇也¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

16:00 〜 16:15

[14p-A35-11] Tb₃Al₅O₁₂ガーネットの作製とフォトルミネッセンス特性

〇(M1C)大西勇也¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

16:15 〜 16:30

[14p-A35-12] Tb₃Al₅O₁₂:Ce³⁺黄色蛍光体の作製と評価

〇(M1C)大西勇也¹、中村俊博¹、安達定雄¹ (1.群馬大院理工)

一般セッション(ポスター講演)

[15p-P10-1~21] 13.9 光物性・発光デバイス

2016年9月15日(木) 13:30 〜 15:30 P10 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 15:30

[15p-P10-1] Yb³⁺とEr³⁺を添加したZn₂TiO₄ によるUC 発光のアニール温度依存性

〇野中俊宏¹、大山渓人¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-2] Gd₂O₃: Er³⁺, Yb³⁺ のアップ・ダウンコンバージョン特性

〇埴岡正史¹、佐俣博章¹ (1.神戸大学海事)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-3] 水熱合成による波長変換ナノ粒子ZnSe:Mn/ZnSの作製

〇高木知己¹、谷口太一²、祖父江進¹、川井正一¹、長谷川順¹、金大貴² (1.株式会社デンソー、2.大阪市立大学大学院工学研究科応用物理)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-4] 水熱合成による波長変換ナノ粒子ZnSeS:Mnを付加した太陽電池評価

〇川井正一¹、高木知己¹、谷口太一²、祖父江進¹、長谷川順¹、金大貴² (1.デンソー基礎研、2.大阪市大工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-5] Y₃GaO₆:Eu³⁺赤色残光体における共添加元素の効果

〇(D)太宰卓朗¹、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東京工業大学)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-6] (La,Ce,Y)₆Si₄S₁₇蛍光体の時間分解発光特性

〇七井靖^1,2、上岡隼人¹、奥野剛史² (1.日大文理、2.電通大先進理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-7] ゾル－ゲル法により作製した遷移金属添加 SrTiO3:Pr 蛍光体の発光特性

〇(M1)田代竜之¹、赤尾賢人¹、小南裕子¹、中西洋一郎¹、原和彦¹、 Oleg.M. Marchylo² (1.静岡大、2.ラスカリョフ半導体物理研)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-8] Eu添加Sr₄Al₁₄O₂₅蛍光体の粒径制御と発光特性

〇羽田京右¹、小南裕子¹、原和彦²、中西洋一郎² (1.静大大学院総合科学技術研究科、2.静岡大電子研)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-9] Y₂O₃ベース酸化物蛍光体における輻射および無輻射遷移過程

〇佐久間洸輔¹、下沖祐太¹、島林晃平¹、深田晴己¹、山口敦史¹ (1.金沢工大　O.E.D.S. R&Dセンター)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-10] YVO₄:Bi,Ln(Ln=Sm,Eu,Dy,Er)蛍光体におけるエネルギー移動過程

五十嵐拓真¹、湯葢邦夫²、宍戸統悦²、内富直隆¹、〇加藤有行¹ (1.長岡技科大院工、2.東北大金研)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-11] 近赤外広帯域光源用Tm₂O₃添加酸化物ガラスの発光スペクトル制御

〇(M1)西村政哉¹、渕真悟¹、竹田美和² (1.青学大、2.科技財団)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-12] α-Al₂O₃/ZnO多層膜の熱拡散によるZnAl₂O₄薄膜の作製

〇伊藤太郎¹、小南裕子¹、原和彦²、中西洋一郎² (1.静大大学院総合科学技術研究科、2.静岡大電子研)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-13] ZnIn₂Se₄半導体結晶の育成と光学特性

〇山根智貴¹、尾崎俊二¹ (1.群馬大)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-14] AgGaS₂半導体結晶の育成と光学的異方性

〇金子達也¹、尾崎俊二¹ (1.群馬大)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-15] 有機無機ペロブスカイト型化合物の有機層厚の変化による光学特性への影響

〇田嶋大樹¹、越水正典¹、藤本裕¹、浅井圭介¹ (1.東北大院工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-16] π共役系ローダミン分子被覆CdSeナノ粒子の創製と光学特性評価

〇大野洋人¹、矢幅拓真¹、越水正典¹、藤本裕¹、浅井圭介¹ (1.東北大院工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-17] 塗布法によるコアシェル量子ドット薄膜の作製と発光ダイオードへの応用

〇(M1)小西知里¹、柿木雄飛¹、大谷直毅¹ (1.同志社大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-18] 有機無機励起共鳴アミノアクリドン–ZnSe/CdSeナノ粒子複合体の光学特性評価

〇(M2)矢幅拓真¹、大野洋人¹、越水正典¹、藤本裕¹、浅井圭介¹ (1.東北大院工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-19] コロイド状半導体量子ドットにおける増幅キャリア抽出法の新開発

〇小田勝¹、西行響²、赤木啓人¹ (1.九工大院工、2.九工大工)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-20] InP(110)バルクにおける楕円偏光と円偏光の2光束による2光子吸収の偏光状態依存性

〇石島孝章¹、大石真樹¹、松末俊夫¹、坂東弘之¹ (1.千葉大院融合)

13:30 〜 15:30

[15p-P10-21] InP厚膜におけるZ-scan法による非線形屈折率の測定条件の検討

〇池田優輝¹、三谷智也¹、大石真樹¹、松末俊夫¹、坂東弘之¹ (1.千葉大院融合)

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[13a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [13a-A35-6] 発光の有無から見たCe(Ⅲ)含有錯体の発光メカニズム

△ [13a-A35-7] Eu2+賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

▲ [13a-A35-10] Optical Absorption of Porous Silicon during Dissolution in HF Investigated by Photoconduction

[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [13p-A35-2] Eu添加GaNにおけるEu発光中心へのエネルギー輸送プロセスの定量的解析

△ [13p-A35-7] BeドープInGaAsPバルクにおけるスピン緩和時間のキャリア濃度依存性(10-300 K)

△ [13p-A35-8] VB法成長によるSi-GaAsバルクのスピン緩和

[14a-A35-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [14a-A35-5] 赤色光で励起可能なCa3B2N4:Eu2+蛍光体の発光特性

△ [14a-A35-7] Ba5B2Al4Si32N52:Euの合成と結晶構造および発光特性

▲ [14a-A35-9] Preparation of CaAlSiN3:Eu2+ Phosphor Ceramics

[14p-A35-1~12] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [14p-A35-3] TMAS誘導シリカへの包埋によるInP/ZnS量子ドット蛍光体の高耐光性化

△ [14p-A35-5] (Y,Gd)2O3:Yb3+,Er3+アップコンバージョン蛍光ナノシートの作製と評価

△ [14p-A35-9] BiドープSiOxNy薄膜の近赤外発光特性

[15p-P10-1~21] 13.9 光物性・発光デバイス

認証

△ [13a-A35-7] Eu²⁺賦活蛍光体の単結晶育成と発光イオンの固溶サイトの特定

△ [14a-A35-5] 赤色光で励起可能なCa₃B₂N₄:Eu²⁺蛍光体の発光特性

△ [14a-A35-7] Ba₅B₂Al₄Si₃₂N₅₂:Euの合成と結晶構造および発光特性

▲ [14a-A35-9] Preparation of CaAlSiN₃:Eu²⁺ Phosphor Ceramics

△ [14p-A35-5] (Y,Gd)₂O₃:Yb³⁺,Er³⁺アップコンバージョン蛍光ナノシートの作製と評価

△ [14p-A35-9] BiドープSiO_xN_y薄膜の近赤外発光特性