[13a-B9-1~11] 8.4 Plasma etching

[13a-B9-3] Precise etching rate control of Inward-plasma

〇ryou Kanou^1,3, Hiroshi Suga¹, Shun'ichiro Shimbori², Satoshi Takahashi², Jun Miyawaki³, Toshitaka Kubo³, Atsushi Ando³, Tetsuo Shimizu³ (1.CIT, 2.Sunyou Co.,Ltd, 3.AIST)

Keywords:Inward-plasma, Plasma etching, SiO2

MEMSセンサに活用されているSiO₂やSi₃N₄などの薄膜からなるダイアフラム構造製作の、簡便なプロセス技術の確立を目的に、局所加工が可能で低残渣の特徴を持つ吸引プラズマを用いて、加工ガスにアルゴンガスで希釈してSiO₂(200nm)/Si基板のエッチングレートの精密制御を試みた。結果、CF₄濃度で吸引プラズマエッチングの加工レートを制御し、SiO₂膜を残す精密加工が可能であることを確認した。