The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.4 Plasma etching

[13a-B9-1~11] 8.4 Plasma etching

Tue. Sep 13, 2016 9:00 AM - 11:45 AM B9 (Exhibition Hall)

Keizou Kinoshita(PETRA)

10:30 AM - 10:45 AM

[13a-B9-7] Chemical Effects of Hydrogen Ion Irradiation on ITO Etching by Hydrocarbon Plasma

HU LI1, Kazuhiro Karahashi1, Masanaga Fukasawa2, Kazunori Nagahata2, Tetsuya Tatsumi2, Satoshi Hamaguchi1 (1.Osaka Univ., 2.Sony)

Keywords:transparent conducting oxides, etching, hydrogen

光電子バイスの微細化の発展とともに、ナノワイヤー電極が求められいる。光電子バイスの透明電極材料として金属酸化物のITO やZnO が広く使用されており、更なる微細化を実現するためにエッチング反応機構の解明が必要となる。CHx系反応性プラズマを用いたエッチング反応において、エッチング促進効果はCHxイオンに含まれる水素原子の数に強く影響を受けることを明らかになった。今回の研究では、ビーム験とともに第一原理計算を行い、透明電極材料のエッチングにおける水素効果を定量的に評価した。