[13a-D61-1~12] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

△ [13a-D61-4] TMAH Developer Intrusion into Resist Film Analyzed by C-V Method of MIS Structure

〇Hodaka Shirataki¹, Akira Kawai¹ (1.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:C-V Characteristic, Resist, Intrusion

水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)現像液は精度の高いリソグラフィに不可欠である。近年、レジスト膜内へのTMAH現像液の浸透と膨潤が制御要因として重要である。本研究では、C-V応答法を用いてMISキャパシタの誘電層としてレジスト膜を形成し浸透機構を解析することで、TMAH現像液の濃度差拡散をC-V応答によって確認し、その有効性を示した。