The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

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Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[13a-D61-1~12] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

Tue. Sep 13, 2016 9:00 AM - 12:15 PM D61 (Bandaijima Bldg.)

Toshiyuki Horiuchi(Tokyo Denki Univ.), Yoshihiko Hirai(Osaka Pref. Univ.), Jun Taniguchi(Tokyo Univ. of Sci.), Hiroaki Oizumi(GIGAPHOTON)

9:45 AM - 10:00 AM

[13a-D61-4] TMAH Developer Intrusion into Resist Film Analyzed by C-V Method of MIS Structure

Hodaka Shirataki1, Akira Kawai1 (1.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:C-V Characteristic, Resist, Intrusion

水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)現像液は精度の高いリソグラフィに不可欠である。近年、レジスト膜内へのTMAH現像液の浸透と膨潤が制御要因として重要である。本研究では、C-V応答法を用いてMISキャパシタの誘電層としてレジスト膜を形成し浸透機構を解析することで、TMAH現像液の濃度差拡散をC-V応答によって確認し、その有効性を示した。