[13a-D61-1~12] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

△ [13a-D61-4] C-V応答法によるMIS構造内レジスト膜へのTMAH現像液の浸透解析

〇白瀧 穂高¹、河合 晃¹ (1.長岡技科大)

キーワード：C-V特性、レジスト、浸透

水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)現像液は精度の高いリソグラフィに不可欠である。近年、レジスト膜内へのTMAH現像液の浸透と膨潤が制御要因として重要である。本研究では、C-V応答法を用いてMISキャパシタの誘電層としてレジスト膜を形成し浸透機構を解析することで、TMAH現像液の濃度差拡散をC-V応答によって確認し、その有効性を示した。