[14a-B13-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

[14a-B13-6] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン電圧に起因する特性ばらつき

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、鈴木 龍太¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：ナノワイヤ、ばらつき、DIBL

超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン電圧に起因する特性ばらつきを測定し，統計解析を行った．線幅が2nmまで減少すると，ドレイン電圧に起因するばらつきおよびデバイス内ばらつきは急激に増大する．このばらつきの増大は，ソース／ドレイン間のナノワイヤ幅の非対称性ににともない，量子閉じ込め効果も非対称性になることによって引き起こされると考えられる．