[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-6] N極性n型GaN上Niショットキーダイオード特性の蒸着法依存性

〇寺島 勝哉¹、野々田 亮平²、正直 花奈子²、谷川 智之²、松岡 隆志²、鈴木 秀明¹、岡本 浩¹ (1.弘前大理工、2.東北大金研)

キーワード：GaN、窒化物半導体、ショットキーダイオード

電子ビーム加熱（EB）蒸着は副次的に発生するX線により試料中に欠陥が導入される場合があることが古くから指摘されている。本報告ではN極性（–c面）n型GaN 上に抵抗加熱（RH）並びにEB蒸着によりNiショットキーダイオードを作製し、J-V測定より理想因子nと障壁高さψを求めた。その結果、RH蒸着によりEB蒸着に比べ逆方向リーク電流密度が低く、ψの大きいショットキーダイオード特性が得られた。