[15a-A26-1~11] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-A26-6] 反応性スパッタリング法による窒化カーボン膜の作製と特性評価

〇太田 俊平¹、布施 和志¹、宮口 有典¹、安 炯祐¹、神保 武人¹ (1.(株)アルバック半電研)

キーワード：窒化カーボン、反応性スパッタリング、半導体

この発表では、半導体分野への応用を目的として、直径300mmのSi基板上に反応性スパッタリング法を用いて成膜した窒化カーボンの特性、面内分布について報告する。