[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [15a-B10-7] 液体Si蒸着法を用いた結晶Si薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇菱谷 大輔¹、石河 泰明¹、池上 浩²、Trifunovic Miki³、石原 良一³、下田 達也⁴、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.九大シス情、3.デルフト工大、4.北陸先端大)

キーワード：液体シリコン、薄膜トランジスタ、結晶成長

液体シリコンの蒸着法による非晶質シリコン薄膜の形成およびμ-czochralski法によるシリコン薄膜の単結晶化を用い，プロセス最高温度350℃で結晶シリコン薄膜トランジスタの作製を行った．作製したn型Si-TFTは良好なスイッチング特性(On/Off比: 10⁸程度)を示し，電子移動度は325cm²/Vsであった．