[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-A22-12] ZrO₂絶縁膜/In-Si-Oチャネル界面が酸化物TFTのトランジスタ特性へ及ぼす影響

〇(D)栗島 一徳^1,2、生田目 俊秀²、木津 たきお²、塚越 一仁²、女屋 崇^1,2、大井 暁彦²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.物材機構 WPI-MANA)

キーワード：薄膜トランジスタ、High-kゲート絶縁膜、In系金属酸化物

我々は、In-Si-Oチャネルを用いたTFTのSSが0.13 V/decと小さく、有望なチャネル材料であることを報告した。また、種々のHigh-k材料がゲート絶縁膜として研究されているが、でもDRAMのキャパシタ絶縁膜の候補材料であるk = 25の高誘電率を有するZrO₂が有望視されている。そこで、ZrO₂ゲート絶縁膜とIn-Si-Oチャネルを組み合わせたTFTは低電圧動作が期待できる。
本研究では、ZrO₂ゲート絶縁膜に用いたIn-Si-O TFTのトランジスタ特性を作製して、ZrO₂膜及びZrO₂/In-Si-O界面の固定電荷がトランジスタ特性に及ぼす影響について議論した結果を報告する。