[15p-A22-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [15p-A22-6] 高圧水蒸気処理による高誘電体膜SrTa₂O₆を用いたIGZO薄膜トランジスタの特性改善

〇(M2)及川 賢人¹、藤井 茉美¹、Bermundo Juan Paolo¹、内山 潔²、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.鶴岡高専)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、タンタル酸ストロンチウム

低消費電力化を実現するにはディスプレイに用いられている薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化が必要不可欠となっている。そこで、タンタル酸ストロンチウム（SrTa₂O₆: STA）を絶縁膜として選んだ。700℃の高温で焼成しなければ実用性のあるリーク電流を実現できなかったので、高圧水蒸気処理に着目し焼成温度を下げて作製した。その結果、低V_g電圧で急峻なスイッチング特性を得るだけでなく、リーク電流を低く抑えることができた。