[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-11] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅸ) 16乗から13乗へ

〇井上 直久^1,6、井上 敬子²、伊藤 久義³、大渕 真澄⁴、渡邉 香⁵、河村 裕一⁶ (1.東京農工大、2.東レリサーチ、3.高崎量子応用研、4.ナノサイエンス、5.システムズエンジニアリング、6.大阪府大)

キーワード：シリコン結晶、炭素不純物濃度測定、赤外吸収

シリコン結晶中の炭素濃度測定には、バルク結晶で赤外吸収、エピ膜でSIMS、原料多結晶で放射化分析が使われている。我々はパワーデバイスの特性制御に照射誘起のCiOiが用いられることから、赤外吸収の高感度化を進め、問題点と第二世代技術による対策を公開し、技術移転して希望者に測定協力し、SIMS・放射化分析との協力により総合的に検討し、三方法の感度と精度を向上させ規格化を提案してきた。今回は体系的検討を進展させ課題を明確化した。