[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-3] ウェットエッチングを用いたSOI基板のサブナノメートル精度薄膜化

〇(M1)桑原 充輝¹、高橋 和¹ (1.大阪府大院工)

キーワード：ウェットエッチング、SOI、シリコンフォトニクス

SOI基板上に作製されるシリコンフォトニクスの動作波長域はデバイスのコアサイズに依存するため、動作波長域の拡大と動作波長の多重化に向けては水平方向だけでなく垂直方向の構造制御も重要となってくる。今回我々は、ウェットエッチングと光干渉膜厚測定を組み合わせることで、位置選択性を持ち、サブナノメートル精度でシリコン層を薄膜化する技術を開発し、異なる膜厚をもったSOI基板の作製に成功したので報告する。