Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO<sub>2</sub> by piezo-response force microscopy

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

手塚勉(東芝)、知京豊裕(物材機構)

13:45 〜 14:00

〇(D)Lun Xu¹、Shigehisa Shibayama¹、Tomonori Nishimura¹、Takeaki Yajima¹、Shinji Migita²、Akira Toriumi¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

キーワード：HfO2, ferroelectric, piezo-response force microscopy